Informace o projektu
Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
- Kód projektu
- MSM 143100002
- Období řešení
- 1/1999 - 12/2004
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR
- Výzkumné záměry
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
Výsledky
Elektrické, optické a strukturní vlastnosti látek s různou dimenzionalitou. Metody infračervené spektroskopie.
Publikace
Počet publikací: 213
1996
-
Quantitative Study of Interface Roughness Replication in Multilayers Using X-ray Reflectivity and Transmission Electron Microscopy
Appl. Phys. Lett., rok: 1996, ročník: 69(19960, vydání: 9
-
Scanning-tunneling-microscopy Observation of Stress-driven Surface Diffusion Due to Localized Strain Fields of Misfit Dislocations in Heteroepitaxy
Physical Review B, rok: 1996, ročník: 54(1996), vydání: -
-
Structural characterization of reactive ion-etched semicond uctor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., rok: 1996, ročník: 1996, vydání: 405
-
Theoretical description of multiple crystal arrangements
X-ray and neutron dynamical diffraction: theory and applications, rok: 1996
-
Thermal Stability of SIS Tunnel Junction with Silicon Barrier
Czechoslovak Journal of Physic, Suppl. S2, rok: 1996, ročník: 46(1996), vydání: S2
-
X-ray and neutron diffuse scattering from multilayers of fatty acid salt molecules
Physica B, rok: 1996, ročník: 1996, vydání: 221
-
X-ray reflectivity and diffuse scattering study of thermally treated XSi/Si multilayers
Mater. Sci. Forum, rok: 1996, ročník: 1996, vydání: 228-231
1995
-
Crystalline and Quasi-cristalline Patterns in X-Ray Diffraction from Periodic Arrays of Quantum Dots
Europhysics Letters, rok: 1995, ročník: 32(1995), vydání: 2
-
Determination of threading dislocation density in hetero-epitaxial layers by diffuse x-ray scattering
J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 28, vydání: -
-
Diffuse x-ray scattering from misfit dislocations in SiGe epitaxial layers with graded Ge content
J. Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 78(1995), vydání: 8