Annealing studies of high Ge composition Si/SiGe multilayers

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Studium žíhání multivrstev SiGe/Si s vysokým obsahem Ge
Autoři

MEDUŇA Mojmír NOVÁK Jiří HOLÝ Václav BAUER Günther FALUB Claudiu TSUJINO Soichiro MÜLLER Elisabeth GRÜTZMACHER Detlev CAMPIDELLI Yves KERMARREC Olivier BENSAHEL Daniel

Rok publikování 2004
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Zeitschrift fur Kristalographie
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Reflectivity; X-ray diffraction; Annealing; Diffusion; Si/SiGe multiple quantum wells
Popis Byla studována teplotní stbilita multivrstev SiGe/Si (80% Ge) metodou rtg reflexe během žíhání in-situ při teplotě 810C.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.