Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

HUMLÍČEK Josef OSWALD Jiří MUNZAR Dominik PANGRÁC Jiří NAVRÁTIL Karel HULICIUS Eduard LORENC Michal

Rok publikování 2002
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Physica E
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova self-assembled quantum dots; photoluminescence; polarization anisotropy
Popis We present results of our study of photoluminescence (PL) from multilayer InAs/GaAs quantum dot structures grown by metal organic vapor-phase epitaxy and discuss them in terms of the envelope function approximation. The intensity of the component of the PL signal polarized in the plane parallel to the substrate is substantially higher than that corresponding to the perpendicular polarization. In addition, the former depends on the angle between the electric vector and the direction of elongation of the dots.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.