Informace o projektu
Kvantové tečky v polovodičích III-V
- Kód projektu
- GA202/99/1613
- Období řešení
- 1/1999 - 1/2001
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
- Spolupracující organizace
-
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
- Odpovědná osoba prof. Ing. Eduard Hulicius, CSc.
Studium růstu a vlastností kvantových teček ("Quantum Dots" - QD) v polovodičových sloučeninách typu III-V, zejména InAs/GaAs. Příprava relativně velkého objemu materiálu obsahujícího QD metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE), s využitím Stranského-Krastanowova mechanismu růstu. Ovlivnění růstu QD typem a volbou orientace, případně rozorientace, substrátu. Pokusy o růst QD na bázi GaSb a legování systému InAs/GaAs křemíkem. Srovnání struktur vypěstovaných metodou MOVPE se vzorky deponovanými epitaxí z molekulárních svazků (MBE). Strukturní a jiné fyzikální vlastnosti vzorků QD pomocí rentgenového rozptylu, optických metod (luminiscence, reflektivita a elipsometrie), Ramanovy spektroskopie, magnetotransportu a rastrovacích mikroskopických technik. Srovnání luminiscenčních a absorpčních mechanismů v optické odezvě, v korelaci se strukturními a transportními vlastnostmi. Ovlivnění lokalizovaných elektronových stavů v QD přítomností dopantů v okolní matrici.
Publikace
Počet publikací: 3
2002
-
Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots
Physica E, rok: 2002, ročník: 13, vydání: 2
2000
-
Near-band-gap optical functions spectra and band-gap energies of GaNAs/GaAs superlattice
Appl. Phys. Lett., rok: 2000, ročník: 76, vydání: 20
1999
-
Optical characterisation of a thick MOVPE InSb film on GaAs
Workshop proceedings EW MOVPE VIII, rok: 1999