Investigation of strain relaxation of Ge 1-x Si x epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	LI J.H. HOLÝ Václav
Rok publikování	1995
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Semicond. Sci. Technol.
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Související projekty:	Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur