Investigation of strain relaxation of Ge 1-x Si x epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

LI J.H. HOLÝ Václav

Rok publikování 1995
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Semicond. Sci. Technol.
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.