X-ray diffraction on stacking faults in 3C-SiC epitaxial microcrystals grown on patterned Si(0 0 1) wafers

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Rtg difrakce na vrstevných chybách v 3C-SiC epitaxních mikrokrystalech rostlých na vzorkovaných Si(001) deskách
Autoři

MEDUŇA Mojmír KREILIGER Thomas MAUCERI Marco PUGLISI Marco MANCARELLA Fulvio LA VIA Francesco CRIPPA Danilo MIGLIO Leo VON KÄNEL Hans

Rok publikování 2019
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Journal of Crystal Growth
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www Full Text
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.046
Klíčová slova Semiconducting silicon compounds; Carbides; High resolution X-ray diffraction; Planar defects; Low dimensional structures
Popis Představujeme zkoumání strukturální kvality polí 3C-SiC mikropilířů a mikrodrátů pěstovaných epitaxně na hluboce leptaných substrátech Si (0 0 1) odříznutých vzhledem k [1 1 0].
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.