X-ray diffraction on stacking faults in 3C-SiC epitaxial microcrystals grown on patterned Si(0 0 1) wafers

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Rtg difrakce na vrstevných chybách v 3C-SiC epitaxních mikrokrystalech rostlých na vzorkovaných Si(001) deskách
Autoři	MEDUŇA Mojmír KREILIGER Thomas MAUCERI Marco PUGLISI Marco MANCARELLA Fulvio LA VIA Francesco CRIPPA Danilo MIGLIO Leo VON KÄNEL Hans
Rok publikování	2019
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of Crystal Growth
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	Full Text
Doi	http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.046
Klíčová slova	Semiconducting silicon compounds; Carbides; High resolution X-ray diffraction; Planar defects; Low dimensional structures
Popis	Představujeme zkoumání strukturální kvality polí 3C-SiC mikropilířů a mikrodrátů pěstovaných epitaxně na hluboce leptaných substrátech Si (0 0 1) odříznutých vzhledem k [1 1 0].
Související projekty:	CEITEC Nano CEITEC 2020