SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	KRUMPOLEC Richard ČECH Jan ČERNÁK Mirko
Rok publikování	2015
Druh	Konferenční abstrakty
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Popis	The SiO2/Si etching was studied in DCSBD discharge generated in pure hydrogen at atmospheric pressure and room temeperature conditions. The estimated etching rate of SiO2 was approx. 1 nm/min.
Související projekty:	CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy