Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	KLENOVSKÝ Petr KŘÁPEK Vlastimil HUMLÍČEK Josef
Rok publikování	2016
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	ACTA PHYSICA POLONICA A
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace
www	http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/129/a129z1ap12.pdf
Doi	http://dx.doi.org/10.12693/APhysPolA.129.A-62
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	quantum dots; type-II bandalignment; quantum computing; theory
Popis	We have studied theoretically the type-II GaAsSb capped InAs quantum dots for two structures differing in the composition of the capping layer, being either (i) constant or (ii) with Sb accumulation above the apex of the dot. We have found that the hole states are segmented and resemble the states in the quantum dot molecules. The two-hole states form singlet and triplet with the splitting energy of 4 ueV/325 ueV for the case (i)/(ii). We have also tested the possibility to tune the splitting by vertically applied magnetic field. Because the predicted tunability range was limited, we propose an approach for its enhancement.
Související projekty:	CEITEC - středoevropský technologický institut NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)