InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Pokrytí InAs/GaAs kvantových teček v kineticky limitovaném MOVPE růstovém režimu
Autoři	HOSPODKOVÁ Alice PANGRÁC J. VYSKOČIL J. OSWALD J. VETUSHKA A. CAHA Ondřej HAZDRA P. KULDOVÁ K. HULICIUS E.
Rok publikování	2011
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of crystal growth
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace	HOSPODKOVÁ, Alice, J. PANGRÁC, J. VYSKOČIL, J. OSWALD, A. VETUSHKA, Ondřej CAHA, P. HAZDRA, K. KULDOVÁ a E. HULICIUS. InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime. Journal of crystal growth. Amsterdam: Elsevier Science, 2011, roč. 317, č. 1, s. 39-42. ISSN 0022-0248. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076.
Doi	http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs quantum dots; Semiconducting III-V materials
Popis	Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček mohou být významně změněny vlastnostmi krycí vrstvy. Studovali jsme efekt parciálního tlaku prvků III. skupiny na fotoluminiscenci.
Související projekty:	Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách