InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Pokrytí InAs/GaAs kvantových teček v kineticky limitovaném MOVPE růstovém režimu
Autoři

HOSPODKOVÁ Alice PANGRÁC J. VYSKOČIL J. OSWALD J. VETUSHKA A. CAHA Ondřej HAZDRA P. KULDOVÁ K. HULICIUS E.

Rok publikování 2011
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Journal of crystal growth
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs quantum dots; Semiconducting III-V materials
Popis Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček mohou být významně změněny vlastnostmi krycí vrstvy. Studovali jsme efekt parciálního tlaku prvků III. skupiny na fotoluminiscenci.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.