Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	PLUMHOF Johannes David KŘÁPEK Vlastimil DING Fei JOENS K. D. HAFENBRAK R. KLENOVSKÝ Petr HERKLOTZ A. DORR K. MICHLER P. RASTELLI Armando SCHMIDT Oliver G.
Rok publikování	2011
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Physical Review B
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i12/e121302
Doi	http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.121302
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	ENTANGLED PHOTON PAIRS; SEMICONDUCTOR; SPIN
Popis	We study the effect of elastic anisotropic biaxial strain, induced by a piezoelectric actuator, on the light emitted by neutral excitons confined in different kinds of epitaxial quantum dots. We find that the light polarization rotates by up to similar to 80 degrees and the fine structure splitting (FSS) varies nonmonotonically by several tens of mu eV as the strain is varied. These findings provide the experimental proof of a recently predicted strain-induced anticrossing of the bright states of neutral excitons in quantum dots. Calculations on model dots qualitatively reproduce the observations and suggest that the minimum reachable FSS critically depends on the orientation of the strain axis relative to the dot elongation.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů