InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	InGaAs a GaAsSb vrstvy rekující napětí kryjící InAs/GaAs kvantové tečky
Autoři	HOSPODKOVÁ A. HULICIUS E. PANGRÁC J. OSWALD J. VYSKOČIL J. KULDOVÁ K. ŠIMEČEK T. HAZDRA P. CAHA Ondřej
Rok publikování	2010
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of crystal growth
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure Metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs Quantum dots; Semiconducting III-V materials
Popis	Porovnali jsme vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček pokrytých InGaAs nebo GaAsSb vrstvou uvolňující napětí.
Související projekty:	Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách