InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky InGaAs a GaAsSb vrstvy rekující napětí kryjící InAs/GaAs kvantové tečky
Autoři

HOSPODKOVÁ A. HULICIUS E. PANGRÁC J. OSWALD J. VYSKOČIL J. KULDOVÁ K. ŠIMEČEK T. HAZDRA P. CAHA Ondřej

Rok publikování 2010
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Journal of crystal growth
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure Metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs Quantum dots; Semiconducting III-V materials
Popis Porovnali jsme vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček pokrytých InGaAs nebo GaAsSb vrstvou uvolňující napětí.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.