Structural and defect changes of hydrogenated SiGe films due to annealing up to 600degC

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Strukturální a poruchové změny hydrogenovaných SiGe vrstev vlivem žíhání do 600degC
Autoři	SLÁDEK Petr SŤAHEL Pavel BURŠÍKOVÁ Vilma
Rok publikování	2009
Druh	Konferenční abstrakty
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Popis	Pro lepší pochopení role vodíku na poruchy a uspořádanost nedopovaných nano a mikrokrystalických vrstev SiGe:H jsme zkoumali závislost mechanických a optoelektrických vlastností na depozičních podmínkách, zejména tlaku v plasmatu. \výsledky ukazují na různé chování vodíku v závislosti na růstovém mechanismu tenkých vrstev.
Související projekty:	Nanometrologie využívající metod rastrovací sondové mikroskopie