Analysis of vacancy and interstitial nucleation kinetics in Si wafers during rapid thermal annealing

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Analýza kinetiky nukleace vakancí a intersticiálů v Si deskách během rychlého teplotního žíhání
Autoři	KUBĚNA Josef KUBĚNA Alan CAHA Ondřej MEDUŇA Mojmír
Rok publikování	2009
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	J.Phys.: Condens. Matter
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Silicon; vacancies; Interstitials; nucleation
Popis	V této publikaci je studována kinetika procesů vakancí a self-intersticiálů v Si deskaách. Detailní vhled do procesu nukleace, out difuze a rekombinace vakancí a intersticiálů během procesu RTA vede k novému modelu interakce mezi vakancemi a kyslíkem.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku