X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Rtg difrakce na precipitátech v Czochralského křemíku
Autoři	CAHA Ondřej MEDUŇA Mojmír
Rok publikování	2009
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Physica B condensed matter
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Silicon; X-ray diffraction; Precipitates
Popis	Jsou uvedeny výsledky studie precipitace kyslíku v CZ Si. Rtg difrakce s vysokým rozlišením byla použita pro měření map reciprokého prostoru na vzorcích s různým žíhacím procesem. Měření byla provedena pro několik řádů difrakce a byly zjištěny systematické rozdíly. Byl simulován difuzní rtg rozptyl, kde bylo počítáno pole posunutí od precipitátu za použití teorie elasticity kontinua. Simulace dávají správné asymptotické chování a byla nalezena interpretace oblasti mezi Huangovým rozptylem a rozptylem na jádře. Výsledky rtg difrakce jsou korelovány s měřením infračervené absorpční spektroskopie poskytující koncentraci intersticiálního kyslíku.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích