X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem leogovaných křemíkových deskaách připravených Czochralského metodou
Autoři

KLANG Pavel HOLÝ Václav KUBĚNA Josef ŠTOUDEK Richard ŠIK Jan

Rok publikování 2005
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj J. Phys. D: Appl. Phys.
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova X-ray; diffuse scattering; defects; nitrogen; silicon
Popis Studovali jsme dusíkem dopované křemíkové desky ze začátku, středu a konce ingotu, žíhané na nízké a vysoké teplotě. Použili jsme trojosý rentgenový difraktometr s vysokým rozlišením. Rozložení intensity v reciprokém prostoru od shluků vakancí, vrstevných chyb a dislokačních smyček jsme modelovali použitím Krivoglazovy teorie a kontinualní model deformačního pole defektu. Dobrá shoda teorie s experimentálními daty nastává pro model dislokačních smyček. Typ dislokačních smyček lze určit ze symetrie naměřených map reciprokého prostoru a z rezu techto map můžeme určit poloměr a koncentraci smyček. Tyto parametry bylo doplněny výsledky ze selektivního leptání a infračervené absorpční spektroskopie.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.