Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Nitrogen-doped Czochralski Silicon
Název česky | Infračervená absorpční spektroskopie kyslíkových precipitátů v dusíkem legovaném Czochralského křemíku |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2004 |
Druh | Článek ve sborníku |
Konference | Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004 |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
Klíčová slova | Infrared; Silicon; Oxygen; Precipitates; Nitrogen doping |
Popis | Analyzovali jsme infračervená spektra propustnosti Czochralského křemíku. Díky měrení na teplotě kapalného dusíku jsme identifikovali příspěvek kyslíkových precipitátů různých tvarů. Pro určení tvaru, objemového podílu a stechiometrie precipitátů byl použit model efektivního prostředí. Byly měřeny standartní a dusíkem legované vzorky; pozorovali jsme příznivý vliv dusíku na precipitaci kyslíku. |
Související projekty: |