Structural changes of plasma deposited SiOxCyHz thin films attained by thermal annealing

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Strukturální změny vrstev SiOxCyHz připravených v plazmatu indukované zahříváním
Autoři

FRANCLOVÁ Jana KUČEROVÁ Zuzana BURŠÍKOVÁ Vilma ZAJÍČKOVÁ Lenka PEŘINA Vratislav

Rok publikování 2004
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Czech. J. Phys.
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace FRANCLOVÁ, Jana, Zuzana KUČEROVÁ, Vilma BURŠÍKOVÁ, Lenka ZAJÍČKOVÁ a Vratislav PEŘINA. Structural changes of plasma deposited SiOxCyHz thin films attained by thermal annealing. Czech. J. Phys. Praha: Institute of Physics Academy of Sciences, 2004, roč. 2004, č. 54, s. C847-C852, 6 s. ISSN 0011-4626.
Obor Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova Deposited films; plasma enhanced CVD; HMDSO; FTIR; RBS
Popis Strukturální změny vrstev SiOxCyHz připravených v plazmatu indukované zahříváním
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.