Advanced X-ray diffraction imaging techniques for semiconductor wafer characterisation

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

MIKULÍK Petr BAUMBACH T. KORYTÁR D. PERNOT P. LÜBBERT D. HELFEN L. LANDESBERGER Ch.

Rok publikování 2002
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Materials Structure
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www http://www.sci.muni.cz/~mikulik/Publications.html#MikulikBaumbachKorytarPLHL-MatStruct-2002
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova wafers; defects; x-ray scattering; diffraction; imaging; silicon; GaAs
Popis Wafer quality inspection and defect analysis are crucial for improvements of the wafer fabrication technology as well as for the correlation of device properties with the processes of wafer treating. This work demonstrates trends of high-resolution X-ray diffraction imaging techniques with synchrotron radiation sources and their capability for detailed quality inspection of wafers concerning their structural perfection. We apply these methods to visualise and to characterise the defects and deformations induced by growing, cutting, grinding, etching and gluing in the production of semiconductor wafers (in particular Si and GaAs wafers) and in ultra-thin wafers. We present synchrotron topography and synchrotron area diffractometry methods to analyse qualitatively and quantitatively: dislocations and lineages, micro-defects and micro-cracks, wafer tilts and warpages, tensors of local lattice rotations.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.