Strain relaxation and misfit dislocations in compositionally graded Si 1-x Ge x layers on Si (001)

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	LI J.H. HOLÝ Václav
Rok publikování	1995
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of Crystal Growth
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Související projekty:	Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur