GROWTH OF SILICON NANOWIRES BY THERMAL ANNEALING OF THICK GOLD CATALYTIC LAYER ON SILICON SUBSTRATE UNDER DIFFERENT ATMOSPHERES

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Růst křemíkových nanodrátků termickým žíháním katalytické vrstvy zlata v různých atmosférách
Autoři

ŠPERKA Jiří JAŠEK Ondřej ZAJÍČKOVÁ Lenka HAVEL Josef

Rok publikování 2015
Druh Článek ve sborníku
Konference NANOCON 2015: 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www konferenční stránka
Obor Teoretická fyzika
Klíčová slova Nanowires; Silicon; Gold; Eutectics; Surface processes
Popis Křemíkové nanodrátky rostly na Si substrátu termíckým žíháním katalytické vrstvy zlata. 100 nm tlustá vrstva zlata na Si připravená magnetronovým naprašováním byla žíhána za teploty 1000 C po dobu 60 minut v argonové a vodíkové atmosféře při tlaku 8 kPa. Bylo zjištěno, že ve vodíkové atmosféře lze pozorovat růst nanodrátků zatímco v argonů byl růst jen sporadický. Morfologie a složení vrstvy bylo zkoumáno metodami AFM a LDI TOF spektrospkopií. Struktura nanodrátků byla zkoumána pomocí metod SEM a EDX spektroskopií.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.