Three-dimensional Epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC Crystals on Deeply Patterned Si Substrates

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Troj-dimenzionální Si1-xGex, Ge a SiC krystaly na hluboce vzorkovaných Si substrátech
Autoři

VON KÄNEL Hans ISA Fabio FALUB Claudiu Valentin BARTHAZY E. J. MÜLLER Elisabeth CHRASTINA Daniel ISELLA Giovanni KREILIGER Thomas TABOADA Alfonso MEDUŇA Mojmír KAUFMANN R. NEELS A. DOMMANN Alex NIEDERMANN Philippe MANCARELLA F. MAUCERI M. PUGLISI M. CRIPPA D. LA VIA F. ANZALONE R. PILUSO N. BERGAMASCHINI Roberto MARZEGALLI Anna MIGLIO Leo

Rok publikování 2014
Druh Článek ve sborníku
Konference SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://ma.ecsdl.org/content/MA2014-02/35/1822.abstract
Doi http://dx.doi.org/10.1149/06406.0631ecst
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Aspect ratio; Chemical vapor deposition; Crystals; Dislocations; Germanium; Silicon; heteroepitaxy
Popis Nedávno jsme ukázali například u Ge/Si(001), že krystalové defekty, ohýbání desek může být odstraněno kombinací hlubokého vzorkování substrátu zakončené hustými poli vysoce dokonalých troj-dimensionálních epitaxních krystalů. Zde diskutujeme rozšíření této metody na kombinaci vrstev-substrátu s mřížkovým nepřizpůsobením až na 20% pro 3C-SiC/Si(001).
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.