PECVD of nanostructured SiO2 in a modulated microwave plasma jet at atmospheric pressure

Varování

Publikace nespadá pod Ekonomicko-správní fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	HNILICA Jaroslav SCHÄFER Jan FOEST Rüdiger ZAJÍČKOVÁ Lenka KUDRLE Vít
Rok publikování	2013
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	J. Phys. D: Appl. Phys.
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	http://iopscience.iop.org/0022-3727/46/33/335202/
Doi	http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/33/335202
Obor	Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova	PECVD; modulated; microwave; plasma jet; atmospheric pressure
Přiložené soubory	ZVV_2013_1118531_PECVD.pdf
Popis	We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a microwave plasma jet operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).
Související projekty:	CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy CEITEC - středoevropský technologický institut Samoorganizace a procesy strukturalizace v plazmochemické depozici tenkých vrstev